AGM1065M
IC
SOP-8
可供量大可议
AGM1065M
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：10A/-9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：87mΩ@10V, 6A; 115mΩ@-10V, -6A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V; 11.1nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：845pF@40V; 675pF@-40V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOP-8
库存
290
货期
现货
AGM1065M参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 290 |
AGM1065M概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：10A/-9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：87mΩ@10V, 6A; 115mΩ@-10V, -6A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V; 11.1nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：845pF@40V; 675pF@-40V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM1065M特性
暂无产品特性。
AGM1065M应用领域
暂无应用领域。