AGM1030MBP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM1030MBP
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.07nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.445nF@50V, Vds=100V Id=20A Rds=26mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
3,625
货期
现货
AGM1030MBP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3625 |
AGM1030MBP概述
类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.07nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.445nF@50V, Vds=100V Id=20A Rds=26mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM1030MBP特性
暂无产品特性。
AGM1030MBP应用领域
暂无应用领域。