AGM100P35D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM100P35D
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：40A功率(Pd）：100W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：30mΩ@10V, 15A 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1400pF@40V， 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
127
货期
现货
AGM100P35D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 127 |
AGM100P35D概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：40A功率(Pd）：100W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：30mΩ@10V, 15A 栅极电荷（Qg@Vgs）23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1400pF@40V， 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
AGM100P35D特性
暂无产品特性。
AGM100P35D应用领域
暂无应用领域。