AGM1005E
IC
SOT-23
可供量大可议
AGM1005E
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：95mΩ@10V, 3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：765pF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23
库存
30
货期
现货
AGM1005E参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
AGM1005E概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：95mΩ@10V, 3A 栅极电荷(Qg@Vgs)：18nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：765pF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM1005E特性
暂无产品特性。
AGM1005E应用领域
暂无应用领域。