AGM025N10H
IC
TO-263
可供量大可议
AGM025N10H
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：180A功率(Pd）：250W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：2.7mΩ@10V, 50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：131nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：9.2nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-263
库存
66
货期
现货
AGM025N10H参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
AGM025N10H概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：180A功率(Pd）：250W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：2.7mΩ@10V, 50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：131nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：9.2nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM025N10H特性
暂无产品特性。
AGM025N10H应用领域
暂无应用领域。