AGM025N10AT
IC
TO-247
可供量大可议
AGM025N10AT
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：253A 功率(Pd)：250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.3mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.3V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：122nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.15nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-247
库存
34
货期
现货
AGM025N10AT参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34 |
AGM025N10AT概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：253A 功率(Pd)：250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.3mΩ@10V, 30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.3V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：122nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.15nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM025N10AT特性
暂无产品特性。
AGM025N10AT应用领域
暂无应用领域。