AGM016T08LL
IC
TOLL-8L
可供量大可议
AGM016T08LL
AGM016T08LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
TOLL-8L
库存
2
货期
现货
AGM016T08LL参数
| 封装 | TOLL-8L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 85V |
| 耗散功率(Pd) | 258W |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF |
| 输出电容(Coss) | 2.096nF |
| 商品型号 | AGM016T08LL |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000907 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.38mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 输入电容(Ciss) | 5.545nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:85V 电流:280A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AGM016T08LL概述
AGM016T08LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合, 可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM016T08LL特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON), 以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷, 实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
AGM016T08LL应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器