AG196FPD3HRBTL-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100V的漏源极耐压（VDSS）， 支持60A的连续漏极电流（ID）。 其导通电阻（RDON）低至13.5毫欧， 有效降低导通损耗并提升能效。 凭借低内阻与高电流承载能力， 该器件适用于各类高功率密度电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节， 能够满足对热性能与电气稳定性有严格要求的电子设备设计需求。