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AG096FPD3HRBTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AG096FPD3HRBTL-HXY

该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 低阻抗特性有效降低导通损耗, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池组保护电路。 在高频切换环境下, 器件能维持较低温升, 适合高功率密度电源模块设计, 满足对效率与热管理有严格要求的负载控制应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

AG096FPD3HRBTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

AG096FPD3HRBTL-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 低阻抗特性有效降低导通损耗, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池组保护电路。 在高频切换环境下, 器件能维持较低温升, 适合高功率密度电源模块设计, 满足对效率与热管理有严格要求的负载控制应用。

AG096FPD3HRBTL-HXY特性

暂无产品特性。

AG096FPD3HRBTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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