AG096FPD3HRBTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AG096FPD3HRBTL-HXY
该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 低阻抗特性有效降低导通损耗, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池组保护电路。 在高频切换环境下, 器件能维持较低温升, 适合高功率密度电源模块设计, 满足对效率与热管理有严格要求的负载控制应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
AG096FPD3HRBTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
AG096FPD3HRBTL-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏源电压为100V, 连续漏极电流达60A, 导通电阻典型值为13.5mΩ。 低阻抗特性有效降低导通损耗, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池组保护电路。 在高频切换环境下, 器件能维持较低温升, 适合高功率密度电源模块设计, 满足对效率与热管理有严格要求的负载控制应用。
AG096FPD3HRBTL-HXY特性
暂无产品特性。
AG096FPD3HRBTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
