AG092FLD3HRBTL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AG092FLD3HRBTL-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻仅11mΩ。 器件适用于大电流负载开关、电机驱动及电池管理系统等场景, 如电动工具电源控制、储能设备充放电回路及高功率直流转换模块。 其低导通损耗特性有助于提升系统效率, 适合对电流承载能力与热管理有严格要求的高性能电子设计应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
AG092FLD3HRBTL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
AG092FLD3HRBTL-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻仅11mΩ。 器件适用于大电流负载开关、电机驱动及电池管理系统等场景, 如电动工具电源控制、储能设备充放电回路及高功率直流转换模块。 其低导通损耗特性有助于提升系统效率, 适合对电流承载能力与热管理有严格要求的高性能电子设计应用。
AG092FLD3HRBTL-HXY特性
暂无产品特性。
AG092FLD3HRBTL-HXY应用领域
暂无应用领域。
