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AG092FLD3HRBTL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AG092FLD3HRBTL-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻仅11mΩ。 器件适用于大电流负载开关、电机驱动及电池管理系统等场景, 如电动工具电源控制、储能设备充放电回路及高功率直流转换模块。 其低导通损耗特性有助于提升系统效率, 适合对电流承载能力与热管理有严格要求的高性能电子设计应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

AG092FLD3HRBTL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

AG092FLD3HRBTL-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 连续漏极电流达50A, 导通电阻仅11mΩ。 器件适用于大电流负载开关、电机驱动及电池管理系统等场景, 如电动工具电源控制、储能设备充放电回路及高功率直流转换模块。 其低导通损耗特性有助于提升系统效率, 适合对电流承载能力与热管理有严格要求的高性能电子设计应用。

AG092FLD3HRBTL-HXY特性

暂无产品特性。

AG092FLD3HRBTL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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