AFGHL50T65SQD-HXY

该IGBT模块具备50A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces）， 适用于中等功率电力转换场景。 其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V， 有助于降低导通损耗， 提升系统整体效率。 内部集成二极管可承受50A的正向电流（IF）， 正向压降（Vf）为1.85V， 具备良好的热稳定性和反向恢复性能。 模块采用通用封装设计， 便于安装与维护， 适合用于各类高效能电源设备中的电力调控应用。