AFGB30T65SQDN
自营可供
IC
TO-263
AFGB30T65SQDN
采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术且通过了 AEC-Q101 认证。 AFGB30T65SQDN 具有最佳性能以及低导通损耗和开关损耗， 可在各种应用中实现高效运行。
品牌
onsemi
封装
TO-263
交期
现货
批次
—
AFGB30T65SQDN参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.1V@15V, 30A |
| 输入电容(Cies) | 1.871nF |
| 反向传输电容(Cres) | 7pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 63.2ns |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
| 商品型号 | AFGB30T65SQDN |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00227 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC |
| 输出电容(Coes) | 44pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 14.5ns |
| 导通损耗(Eon) | 783uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 245ns |
| 商品名称 | AFGB30T65SQDN |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | IGBT管/模块 |
AFGB30T65SQDN概述
采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术且通过了 AEC-Q101 认证。 AFGB30T65SQDN 具有最佳性能以及低导通损耗和开关损耗， 可在各种应用中实现高效运行。