ADR434TRZ-EP

电压参考具有低噪声、高精度和低温漂性能。 采用温度漂移曲率校正和XFET技术， 使电压随温度的非线性变化最小化。 与埋入式齐纳基准相比， 以更低的电流（800μA）和更低的电源电压裕量（2V）工作。 具有输出高达+10mA电流和吸收高达-10mA电流的能力， 还带有一个微调端子， 可在0.5%的范围内调节输出电压而不影响性能。 采用8引脚窄体SOIC封装， 工作温度范围为-55°C至 + 125°C。