ADR421BRZ-REEL7
IC
SOIC-8
可供量大可议
ADR421BRZ-REEL7
ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源， 具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性， 采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术， 可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。 XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。
品牌
ADI
封装
SOIC-8
库存
8
货期
现货
ADR421BRZ-REEL7参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 工作电压 | 4.5V~18V |
| 输出电流 | 10mA |
| 温度系数 | 3ppm/℃ |
| 静态电流(Iq) | 500uA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 8 |
| 输出类型 | 固定 |
| 输出电压 | 2.5V |
| 精度 | ±0.04% |
| 电压基准类型 | 串联 |
| 噪声(0.1Hz-10Hz) | 1.75uVp-p |
| 功能特性 | 温度补偿控制 |
ADR421BRZ-REEL7概述
电压基准芯片 固定 10mA 4.5V~18V 2.5V
ADR421BRZ-REEL7特性
暂无产品特性。
ADR421BRZ-REEL7应用领域
暂无应用领域。