ADR421BRZ
IC
SOIC-8
可供量大可议
ADR421BRZ
ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源, 具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性, 采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术, 可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。 XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。
品牌
ADI
封装
SOIC-8
库存
63
货期
现货
ADR421BRZ参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 63 |
ADR421BRZ概述
ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源, 具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性, 采用SOIC和MSOP封装。 利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术, 可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。 XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。
ADR421BRZ特性
暂无产品特性。
ADR421BRZ应用领域
暂无应用领域。
