ADR292GRZ
IC
SOIC-8
可供量大可议
ADR292GRZ
ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。 与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比， 全新的XFET架构显著提升了性能。 这些改进包括：在相同电流下工作时， 电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一； 极低且超线性的温度漂移； 低热滞； 以及出色的长期稳定性
Brand
ADI
Package
SOIC-8
Stock
1
货期
现货
ADR292GRZParameters
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ADI(亚德诺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 电压基准芯片 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
ADR292GRZ概述
ADR291和ADR292是采用XFET基准电路的低噪声、微功耗精密电压基准源。 与传统的基于带隙和埋入式齐纳二极管的基准源相比， 全新的XFET架构显著提升了性能。 这些改进包括：在相同电流下工作时， 电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一； 极低且超线性的温度漂移； 低热滞； 以及出色的长期稳定性
ADR292GRZ特性
暂无产品特性。
ADR292GRZ应用领域
暂无应用领域。