ACNW3190-000E

包含一个AlGaAs LED， 该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。 该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。 该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200 A、600 V/300 A的IGBT。 对于额定值更高的IGBT， 可用于驱动分立功率级， 该功率级驱动IGBT栅极。 在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有最高1414 Vpeak的绝缘电压。