ACNV2601-500E

是一种光耦合门， 结合了AlGaAs发光二极管和集成光电探测器， 采用宽体封装。 发射二极管和光电探测器之间的绝缘距离（DTI）为2mm。 探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。 内部屏蔽在Vₑₘ = 1500V时提供20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。 爬电距离和电气间隙大于13mm， 设计用于提供高隔离电压（7500Vᵣₘₛ）， 能够承受2262Vₚₑₐₖ的连续高工作电压和12,000Vₚₑₐₖ的浪涌电压， 符合IEC60747-5-5、UL和CSA的加强绝缘标准， 能在10MBd的高数据速率下提供高绝缘电压保护。