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ACNT-H313-500E
IC

SO-8

可供量大可议

ACNT-H313-500E

包含一个LED, 该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。 此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。 该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。 对于额定值较高的IGBT, 该光耦合器可用于驱动分立功率级, 进而驱动IGBT栅极。 在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中, 具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。

品牌

Broadcom

封装

SO-8

库存

75

货期

现货

ACNT-H313-500E参数

封装SO-8
品牌Broadcom(博通)
MOQ / SPQ1 / 1
分类逻辑输出光耦
库存75

ACNT-H313-500E概述

包含一个LED, 该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。 此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。 该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。 对于额定值较高的IGBT, 该光耦合器可用于驱动分立功率级, 进而驱动IGBT栅极。 在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中, 具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。

ACNT-H313-500E特性

暂无产品特性。

ACNT-H313-500E应用领域

暂无应用领域。

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