ACNT-H313-500E
IC
SO-8
可供量大可议
ACNT-H313-500E
包含一个LED, 该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。 此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。 该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。 对于额定值较高的IGBT, 该光耦合器可用于驱动分立功率级, 进而驱动IGBT栅极。 在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中, 具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。
品牌
Broadcom
封装
SO-8
库存
75
货期
现货
ACNT-H313-500E参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | Broadcom(博通) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 75 |
ACNT-H313-500E概述
包含一个LED, 该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。 此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。 该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。 对于额定值较高的IGBT, 该光耦合器可用于驱动分立功率级, 进而驱动IGBT栅极。 在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中, 具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。
ACNT-H313-500E特性
暂无产品特性。
ACNT-H313-500E应用领域
暂无应用领域。
