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ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3
自营可供
IC

4-SMD, 无引线

ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3

无源晶振 12MHz 12pF ±50ppm ±20ppm SMD3225-4P

品牌

ABRACON

封装

4-SMD, 无引线

交期

现货

批次

25+

ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3参数

封装4-SMD, 无引线
品牌ABRACON
批次25+
频率12MHz
负载电容12pF
等效串联电阻(ESR)100Ω
分类无源晶振
库存3,000
MOQ / SPQ1 / 1
常温频差±20ppm
频率稳定度±50ppm
工作温度-40℃~+125℃

ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3概述

无源晶振 12MHz 12pF ±50ppm ±20ppm SMD3225-4P

ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3特性

  • 温度范围宽, 适合多数工业与便携式电子产品的工作环境。
  • 初始频差 ±20 ppm 与整体稳定度 ±50 ppm 能满足大多数通信、计时及控制类应用对频率精度的要求。
  • 无源晶体结构, 需外接晶振振荡器电路或 MCU 内部振荡器驱动器使用, 便于在系统端根据驱动条件调校频率性能。
  • ESR 相对偏大(100 Ω), 在选择振荡器放大器或 MCU 驱动时需确认驱动电路能够稳定启动并维持振荡。

ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3应用领域

  • 典型应用:MCU/MPU 时钟源、UART/SPI/USB 等通信时钟、时基模块、消费电子与工业控制设备等。
  • 驱动器选择:请选用能够支持高 ESR 的振荡器输入级或厂商推荐的振荡放大器, 以保证启动性能和相位噪声指标。
  • 负载电容配置:器件标称 C_L=12 pF, 建议在晶体两端对称并联接地的负载电容每侧取值约 14–22 pF(常用取 18 pF), 并根据 PCB 寄生电容(通常 2–5 pF)做微调, 公式参考 C = 2 × (C_L − C_stray)。

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