9N20
IC
TO-252
可供量大可议
9N20
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):225 连续漏极电流ID(A):9A
品牌
HL
封装
TO-252
库存
2,325
货期
现货
9N20参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2325 |
9N20概述
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):225 连续漏极电流ID(A):9A
9N20特性
暂无产品特性。
9N20应用领域
暂无应用领域。