939113424610-T3N

适用于光通信系统(ROSA/TOSA、SONET和所有光电子设备)以及高速数据系统或产品, 用于直流阻断、耦合和旁路接地应用。 采用半导体MOS工艺开发, 具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性, 在电压(0.1%/V)和温度(60 ppm/K)下具有非常高的可靠性和电容稳定性。 工作温度范围为 -55 至 150°C, 符合标准JEDEC组装规则, 与高速自动拾放制造操作完全兼容, 符合RoHS标准。