9121S-Y19.200N18DT1J
IC
SMD2016-4P
可供量大可议
9121S-Y19.200N18DT1J
高精度, 高稳定性, VCTCXO, 封装:2016,4P, 频率:19.2MHz, 工作电压:1.8V, 输出方式:Clipped Sine wave, 常温频差:±1ppm, 工作温度:-40℃~+85℃, 频率稳定度:±1ppm
品牌
HCI
封装
SMD2016-4P
库存
20
货期
现货
9121S-Y19.200N18DT1J参数
| 封装 | SMD2016-4P |
|---|---|
| 品牌 | HCI(杭晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 压控温补振荡器(VCTXO) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
9121S-Y19.200N18DT1J概述
高精度, 高稳定性, VCTCXO, 封装:2016,4P, 频率:19.2MHz, 工作电压:1.8V, 输出方式:Clipped Sine wave, 常温频差:±1ppm, 工作温度:-40℃~+85℃, 频率稳定度:±1ppm
9121S-Y19.200N18DT1J特性
暂无产品特性。
9121S-Y19.200N18DT1J应用领域
暂无应用领域。