8205A
Available可供
IC
SOT-23-6
8205A
场效应管(MOSFET) 2W 22mΩ@4.5V, 4.5A 20V 2个N沟道
Brand
JSMSEMI
Package
SOT-23-6
交期
现货
Date Code
25+
8205AParameters
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 800pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:20V 电流:5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12,229 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
| 商品型号 | 8205A |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5.4e-05 |
8205A概述
场效应管(MOSFET) 2W 22mΩ@4.5V, 4.5A 20V 2个N沟道
8205A特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术