80N10-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
80N10-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块， 如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 100A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
7
货期
现货
80N10-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
80N10-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块， 如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 100A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
80N10-VB特性
暂无产品特性。
80N10-VB应用领域
暂无应用领域。