80N07
IC
TO-252
可供量大可议
80N07
MOSFET类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):70， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5/7， 连续漏极电流ID(A):80A
品牌
HL
封装
TO-252
库存
1,505
货期
现货
80N07参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1505 |
80N07概述
MOSFET类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):70， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5/7， 连续漏极电流ID(A):80A
80N07特性
暂无产品特性。
80N07应用领域
暂无应用领域。