80N06T
IC
TO-220
可供量大可议
80N06T
工艺:沟槽， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):60， 阈值电压VGS:±25， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.3， 连续漏极电流ID(A):80A
品牌
HL
封装
TO-220
库存
500
货期
现货
80N06T参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 500 |
80N06T概述
工艺:沟槽， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):60， 阈值电压VGS:±25， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.3， 连续漏极电流ID(A):80A
80N06T特性
暂无产品特性。
80N06T应用领域
暂无应用领域。