76633S-VB
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
76633S-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 具有高性能和可靠性， 采用Trench工艺制造， 适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 45A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-263(D2PAK)
库存
20
货期
现货
76633S-VB参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
76633S-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 具有高性能和可靠性， 采用Trench工艺制造， 适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 45A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
76633S-VB特性
暂无产品特性。
76633S-VB应用领域
暂无应用领域。