74HC02N
IC
DIP-14
可供量大可议
74HC02N
特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。 输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。 工作电压范围：2.0至6.0V。 低输入电流：1.0A。 具有CMOS器件的高抗噪特性。 符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V； 机器模型200V。 芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。 这些是无铅器件
品牌
HGSEMI
封装
DIP-14
库存
1,030
货期
现货
74HC02N参数
| 封装 | DIP-14 |
|---|---|
| 品牌 | HGSEMI(华冠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 逻辑门 |
|---|---|
| 库存 | 1030 |
74HC02N概述
特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。 输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。 工作电压范围：2.0至6.0V。 低输入电流：1.0A。 具有CMOS器件的高抗噪特性。 符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V； 机器模型200V。 芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。 这些是无铅器件
74HC02N特性
暂无产品特性。
74HC02N应用领域
暂无应用领域。