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71V416S12PHG8
IC

TSOPII-44-10.2mm

可供量大可议

71V416S12PHG8

是一款 4,194,304 位的高速静态随机存取存储器, 组织形式为 256K x 16。 采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。 这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合, 为高速内存需求提供了最有效的解决方案。 具有一个输出使能引脚, 最快可在 5ns 内工作, 地址访问时间最快可达 10ns。 所有双向输入和输出均与 LVTTL 兼容, 工作电源为单一的 3.3V。 使用完全静态异步电路, 操作无需时钟或刷新。 封装形式包括 44 引脚、400 密耳塑料 SOJ 封装、44 引脚、400 密耳 TSOP II 型封装和 48 球栅阵列、9mm x 9mm 封装。

品牌

RENESAS/IDT

封装

TSOPII-44-10.2mm

库存

3

货期

现货

71V416S12PHG8参数

封装TSOPII-44-10.2mm
品牌RENESAS(瑞萨)/IDT
MOQ / SPQ1 / 1
分类静态随机存取存储器(SRAM)
库存3

71V416S12PHG8概述

是一款 4,194,304 位的高速静态随机存取存储器, 组织形式为 256K x 16。 采用高性能、高可靠性的 CMOS 技术制造。 这种先进的技术与创新的电路设计技术相结合, 为高速内存需求提供了最有效的解决方案。 具有一个输出使能引脚, 最快可在 5ns 内工作, 地址访问时间最快可达 10ns。 所有双向输入和输出均与 LVTTL 兼容, 工作电源为单一的 3.3V。 使用完全静态异步电路, 操作无需时钟或刷新。 封装形式包括 44 引脚、400 密耳塑料 SOJ 封装、44 引脚、400 密耳 TSOP II 型封装和 48 球栅阵列、9mm x 9mm 封装。

71V416S12PHG8特性

暂无产品特性。

71V416S12PHG8应用领域

暂无应用领域。

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