6N139(S)(T1)(HZD)

6N138和6N139光耦合器由一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个高增益分立式达林顿光电探测器光耦合而成。 极低的0.5mA输入电流与高达2000%的高电流传输比相结合， 使得该系列产品特别适用于MOS、CMOS、低功耗肖特基TTL（LSTTL）和EIA RS232C的输入接口， 同时也能确保输出与CMOS以及高扇出TTL要求兼容。