6N138SDM

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。 该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离， 与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比， 可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。 在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中， 集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。 0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口， 同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。 内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。