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6N138M
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IC

DIP-8

6N138M

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极, 该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管, 具有不同的引脚成型选项。 光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容, 与传统光电晶体管光耦合器相比, 速度提高了几个数量级。

Brand

UMW

Package

DIP-8

交期

现货

Date Code

25+

6N138MParameters

封装DIP-8
品牌UMW(友台半导体)
批次25+
输入类型DC
隔离电压(Vrms)5kV
CTR-电流传输比300%
工作温度-40℃~+100℃
传播延迟 tpHL15us
输出电流60mA
正向压降(Vf)1.3V
正向电流(If)20mA
商品型号6N138M
单位个
商品重量0.001212
分类逻辑输出光耦
库存2,250
MOQ / SPQ1 / 1
工作电压-500mV~7V
CMTI(kV/us)10kV/us
通道数1
传播延迟 tpLH15us
输入阈值电流(FH)1.6mA
输出电压7V
直流反向耐压(Vr)5V
商品名称DC输入 1通道 隔离电压(rms):5000V
包装方式管装
商品类型逻辑输出光耦

6N138M概述

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极, 该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管, 具有不同的引脚成型选项。 光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容, 与传统光电晶体管光耦合器相比, 速度提高了几个数量级。

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