6N138M
IC
DIP-8
可供量大可议
6N138M
结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极, 该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管, 具有不同的引脚成型选项。 光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容, 与传统光电晶体管光耦合器相比, 速度提高了几个数量级。
品牌
UMW
封装
DIP-8
库存
2,250
货期
现货
6N138M参数
| 封装 | DIP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| 批次 | 25+ |
| 输入类型 | DC |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV |
| CTR-电流传输比 | 300% |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ |
| 传播延迟 tpHL | 15us |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 正向压降(Vf) | 1.28V |
| 正向电流(If) | 25mA |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 2,250 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 工作电压 | -500mV~18V |
| CMTI(kV/us) | 1kV/us |
| 通道数 | 1 |
| 传播延迟 tpLH | 35us |
| 输出电流 | 60mA |
| 输出电压 | 18V |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V |
| 功能特性 | 输出使能控制 |
6N138M概述
结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极, 该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管, 具有不同的引脚成型选项。 光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容, 与传统光电晶体管光耦合器相比, 速度提高了几个数量级。
6N138M特性
暂无产品特性。
6N138M应用领域
暂无应用领域。
