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6N138M
IC

DIP-8

可供量大可议

6N138M

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极, 该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管, 具有不同的引脚成型选项。 光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容, 与传统光电晶体管光耦合器相比, 速度提高了几个数量级。

品牌

UMW

封装

DIP-8

库存

2,250

货期

现货

6N138M参数

封装DIP-8
品牌UMW(友台半导体)
批次25+
输入类型DC
隔离电压(Vrms)5kV
CTR-电流传输比300%
工作温度-55℃~+100℃
传播延迟 tpHL15us
耗散功率(Pd)200mW
正向压降(Vf)1.28V
正向电流(If)25mA
分类逻辑输出光耦
库存2,250
MOQ / SPQ1 / 1
工作电压-500mV~18V
CMTI(kV/us)1kV/us
通道数1
传播延迟 tpLH35us
输出电流60mA
输出电压18V
直流反向耐压(Vr)5V
功能特性输出使能控制

6N138M概述

结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极, 该发射极通过光学方式耦合到塑料双列直插8引脚封装中的硅高速光电达林顿晶体管, 具有不同的引脚成型选项。 光电二极管和达林顿晶体管之间的独立设计降低了输入晶体管的基极-集电极电容, 与传统光电晶体管光耦合器相比, 速度提高了几个数量级。

6N138M特性

暂无产品特性。

6N138M应用领域

暂无应用领域。

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