6N137-300E
IC
DIP-8
可供量大可议
6N137-300E
是光耦合门， 结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。 使能输入允许对探测器进行选通。 探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。 内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时， 共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。 这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时， 提供了最大的交流和直流电路隔离。 光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至+85°C范围内得到保证， 确保系统无故障运行。
品牌
Broadcom
封装
DIP-8
库存
1
货期
现货
6N137-300E参数
| 封装 | DIP-8 |
|---|---|
| 品牌 | Broadcom(博通) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 逻辑输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 1 |
6N137-300E概述
是光耦合门， 结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。 使能输入允许对探测器进行选通。 探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。 内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时， 共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。 这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时， 提供了最大的交流和直流电路隔离。 光耦合器的交流和直流工作参数在-40°C至+85°C范围内得到保证， 确保系统无故障运行。
6N137-300E特性
暂无产品特性。
6N137-300E应用领域
暂无应用领域。