6G03L
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
6G03L
N+PMOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):18/25 连续漏极电流ID(A):6A N+PMOSFET类型:P漏源电压(Vdss) (V):-30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):36/50 连续漏极电流ID(A):-6A
品牌
HL
封装
SOT-23-6L
库存
9,000
货期
现货
6G03L参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9000 |
6G03L概述
N+PMOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):18/25 连续漏极电流ID(A):6A N+PMOSFET类型:P漏源电压(Vdss) (V):-30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):36/50 连续漏极电流ID(A):-6A
6G03L特性
暂无产品特性。
6G03L应用领域
暂无应用领域。