6G02L
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
6G02L
工艺:沟槽， 类型:N+P， 漏源电压(Vdss) (V):20/-20， 阈值电压VGS:±12， Vth(V):±0.4～±1.2， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):17/30， 连续漏极电流ID(A):6.3A/-4.1A
品牌
HL
封装
SOT-23-6L
库存
2,220
货期
现货
6G02L参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2220 |
6G02L概述
工艺:沟槽， 类型:N+P， 漏源电压(Vdss) (V):20/-20， 阈值电压VGS:±12， Vth(V):±0.4～±1.2， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):17/30， 连续漏极电流ID(A):6.3A/-4.1A
6G02L特性
暂无产品特性。
6G02L应用领域
暂无应用领域。