650SJ520
IC
TO-252
可供量大可议
650SJ520
650V， 8A， 在VGS = 10V时， RDS(ON) < 0.6Ω； 采用先进的分裂栅沟槽技术； 具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷； 是无铅产品。
品牌
HL
封装
TO-252
库存
4,790
货期
现货
650SJ520参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4790 |
650SJ520概述
650V， 8A， 在VGS = 10V时， RDS(ON) < 0.6Ω； 采用先进的分裂栅沟槽技术； 具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷； 是无铅产品。
650SJ520特性
暂无产品特性。
650SJ520应用领域
暂无应用领域。