60N02BD
IC
TO-252-2L
可供量大可议
60N02BD
TDD（台冠 / 台源电子) MOS 配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 20V； 连续漏极电流（Id) 60A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.2V； 导通内阻 (Rds (on)) 10mΩ@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 38W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
TO-252-2L
库存
2,470
货期
现货
60N02BD参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2470 |
60N02BD概述
TDD（台冠 / 台源电子) MOS 配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 20V； 连续漏极电流（Id) 60A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.2V； 导通内阻 (Rds (on)) 10mΩ@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 38W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
60N02BD特性
暂无产品特性。
60N02BD应用领域
暂无应用领域。