60G20F
IC
PDFN5x6-8L
可供量大可议
60G20F
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):25-31 连续漏极电流ID(A):20A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):42-55 连续漏极电流ID(A):-20A
品牌
HL
封装
PDFN5x6-8L
库存
2,590
货期
现货
60G20F参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2590 |
60G20F概述
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):25-31 连续漏极电流ID(A):20A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):42-55 连续漏极电流ID(A):-20A
60G20F特性
暂无产品特性。
60G20F应用领域
暂无应用领域。