5N50L
IC
TO-252
可供量大可议
5N50L
特性：采用先进的平面VDMOS技术制造。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 高雪崩能量。 VDSS = 600V。 ID = 5A。 RDSS = 1.6Ω。 低RDo(on)。 低栅极电荷（典型值Qg = 12.8nC）。 100% UIS测试。 符合RoHS标准
品牌
UMW
封装
TO-252
库存
540
货期
现货
5N50L参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 540 |
5N50L概述
特性：采用先进的平面VDMOS技术制造。 低导通电阻。 卓越的开关性能。 高雪崩能量。 VDSS = 600V。 ID = 5A。 RDSS = 1.6Ω。 低RDo(on)。 低栅极电荷（典型值Qg = 12.8nC）。 100% UIS测试。 符合RoHS标准
5N50L特性
暂无产品特性。
5N50L应用领域
暂无应用领域。