5N20
IC
TO-252
可供量大可议
5N20
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):450 连续漏极电流ID(A):5.5A
品牌
HL
封装
TO-252
库存
2,570
货期
现货
5N20参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2570 |
5N20概述
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):450 连续漏极电流ID(A):5.5A
5N20特性
暂无产品特性。
5N20应用领域
暂无应用领域。