5HB06N8
IC
SOP-8
可供量大可议
5HB06N8
5HB06N8 是一款互补 H 桥驱动功率 MOSFET， 在单个 SO8 封装内集成 2 个 N 沟道 + 2 个 P 沟道 先进功率 MOSFET。 N 沟道 VDSS = 60V， P 沟道 VDSS = -60V， 支持 4.5V 低压栅极驱动即可获得低导通电阻（N 沟道 45mΩ@VGS=4.5V， P 沟道 75mΩ@VGS=-4.5V）。 器件采用 13 英寸卷盘、12mm 编带包装， 每卷 2500 颗， 丝印 "WFS"， 专为直流电机控制、DC-AC 逆变器等 H 桥拓扑设计。
Brand
MASPOWER
Package
SOP-8
Stock
50
货期
现货
5HB06N8Parameters
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | MASPOWER(麦思浦) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
5HB06N8概述
5HB06N8 是一款互补 H 桥驱动功率 MOSFET， 在单个 SO8 封装内集成 2 个 N 沟道 + 2 个 P 沟道 先进功率 MOSFET。 N 沟道 VDSS = 60V， P 沟道 VDSS = -60V， 支持 4.5V 低压栅极驱动即可获得低导通电阻（N 沟道 45mΩ@VGS=4.5V， P 沟道 75mΩ@VGS=-4.5V）。 器件采用 13 英寸卷盘、12mm 编带包装， 每卷 2500 颗， 丝印 "WFS"， 专为直流电机控制、DC-AC 逆变器等 H 桥拓扑设计。
5HB06N8特性
暂无产品特性。
5HB06N8应用领域
暂无应用领域。