562R10TSD10
IC
插件, P=6.4mm
可供量大可议
562R10TSD10
特性：低损耗。 高稳定性。 小尺寸大容量。 完整的电容值范围。 径向引线。 陶瓷单层电容器。 应用：旁路、耦合和解耦。 直流阻断
品牌
VISHAY
封装
插件, P=6.4mm
库存
7
货期
现货
562R10TSD10参数
| 封装 | 插件, P=6.4mm |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 直插瓷片电容 |
|---|---|
| 库存 | 7 |
562R10TSD10概述
特性：低损耗。 高稳定性。 小尺寸大容量。 完整的电容值范围。 径向引线。 陶瓷单层电容器。 应用：旁路、耦合和解耦。 直流阻断
562R10TSD10特性
暂无产品特性。
562R10TSD10应用领域
暂无应用领域。