50P06
IC
TO-252
可供量大可议
50P06
50P06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 50P06符合RoHS标准， 属于绿色产品， 100%经过易雪崩二次击穿（EAS）测试， 具备完整的功能可靠性认证。
品牌
HL
封装
TO-252
库存
7,080
货期
现货
50P06参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:60V 电流:50A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7080 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 224pF |
| 商品型号 | 50P06 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004486 |
50P06概述
50P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 50P06符合RoHS和绿色产品要求, 100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试, 具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量耐量(EAS)保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽(Tre)技术
50P06特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽(Tre)技术
50P06应用领域
- LED灯-负载开关-不间断电源