50N06-TD
IC
TO-252
可供量大可议
50N06-TD
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20.0A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10.0V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
品牌
TDSEMIC
封装
TO-252
库存
1,915
货期
现货
50N06-TD参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | TDSEMIC(拓电半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1915 |
50N06-TD概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20.0A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10.0V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
50N06-TD特性
暂无产品特性。
50N06-TD应用领域
暂无应用领域。