50N03D
IC
PDFN-8L(3.3x3.3)
可供量大可议
50N03D
TDD（台冠 / 台源电子) MOS 配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 50A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.7V； 导通内阻 (Rds (on)) 7mΩ@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 35W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
PDFN-8L(3.3x3.3)
库存
4,990
货期
现货
50N03D参数
| 封装 | PDFN-8L(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4990 |
50N03D概述
TDD（台冠 / 台源电子) MOS 配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 50A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.7V； 导通内阻 (Rds (on)) 7mΩ@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 35W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
50N03D特性
暂无产品特性。
50N03D应用领域
暂无应用领域。