50N03
自营可供
IC
TO-252-2L
50N03
MOS配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 50A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 2~4V； 导通内阻 (Rds (on))≤12mΩ@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 2.5W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
TO-252-2L
交期
现货
批次
—
50N03参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF |
| 输出电容(Coss) | 235pF |
| 商品名称 | 50N03 |
| 封装 | TO-252 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0004 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5,000 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V |
| 输入电容(Ciss) | 940pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | 50N03 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
50N03概述
MOS配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 50A； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 2~4V； 导通内阻 (Rds (on))≤12mΩ@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 2.5W； 工作结温范围 - 55℃~+150℃