4N65M
IC
TO-252
可供量大可议
4N65M
XCH4N65M硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）采用自对准平面技术制造， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 251， 符合RoHS标准
品牌
XCH
封装
TO-252
库存
1,300
货期
现货
4N65M参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | XCH(旭昌辉) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1300 |
4N65M概述
XCH4N65M硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）采用自对准平面技术制造， 该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路， 以实现系统小型化和更高效率。 其封装形式为TO - 251， 符合RoHS标准
4N65M特性
暂无产品特性。
4N65M应用领域
暂无应用领域。