4N60G-TN3-R
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IC
TO-252
4N60G-TN3-R
UTC 4N60是一款高压功率MOSFET， 具备更优的特性， 如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。 这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
品牌
UTC
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
4N60G-TN3-R参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | UTC(友顺) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
| 商品型号 | 4N60G-TN3-R |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00045 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 670pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
| 商品名称 | 功率 MOSFET， 4.0A、600V N沟道 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
4N60G-TN3-R概述
UTC 4N60是一款高压功率MOSFET, 设计具备更优特性, 如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
4N60G-TN3-R特性
- RDS(ON) ≤ 2.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.2 A
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善的dv/dt能力, 高抗扰性
4N60G-TN3-R应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效AC
- DC转换器
- 桥接电路